收藏本站
NTLJD4116N
TYPICAL PERFORMANCE CURVES (T J = 25 ° C unless otherwise noted)
1000
800
V DS = 0 V V GS = 0 V
T J = 25 ° C
5
4
V DS
QT
V GS
18
15
12
600
3
400
200
0
C rss
C iss
C oss
2
1
0
Q GS
Q GD
I D = 2.0 A
T J = 25 ° C
9
6
3
0
5
0
5
10
15
20
25
30
0
1
2 3
4
5
6
V GS
V DS
Q G , TOTAL GATE CHARGE (nC)
GATE?TO?SOURCE OR DRAIN?TO?SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 7. Capacitance Variation
1000
Figure 8. Gate?To?Source and Drain?To?Source
Voltage versus Total Charge
3
V DD = 15 V
I D = 2.0 A
V GS = 4.5 V
V GS = 0 V
T J = 150 ° C
T J = 125 ° C
100
10
1
t d(off)
t f
t r
t d(on)
2
1
0
T J = 25 ° C
1
10
100
0.3
0.6
0.9
R G , GATE RESISTANCE (OHMS)
Figure 9. Resistive Switching Time
Variation versus Gate Resistance
V SD , SOURCE?TO?DRAIN VOLTAGE (VOLTS)
Figure 10. Diode Forward Voltage versus Current
100
10
T C = 25 ° C
T J = 150 ° C
SINGLE PULSE
10 m s
100 m s
1 ms
1
0.1
*See Note 2 on Page 1
R DS(on) LIMIT
10 ms
THERMAL LIMIT
dc
0.01
0.1
PACKAGE LIMIT
1
10
100
?V DS , DRAIN?TO?SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 11. Maximum Rated Forward Biased
Safe Operating Area
http://onsemi.com
5
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
相关PDF资料
NTLJD4150PTBG MOSFET P-CH DUAL 30V 3.2A 6WDFN
NTLJF3117PTAG MOSFET P-CH 20V 2.3A 6-WDFN
NTLJF3118NTBG MOSFET N-CH 20V 2.6A 6-WDFN
NTLJF4156NT1G MOSFET N-CH 30V 2.5A 6-WDFN
NTLJS1102PTBG MOSFET P-CH 8V 3.7A 6-WDFN
NTLJS2103PTAG MOSFET P-CH 12V 3.5A 6-WDFN
NTLJS3113PTAG MOSFET P-CH 20V 3.5A 6-WDFN
NTLJS3180PZTBG MOSFET P-CH 20V 3.5A 6-WDFN
相关代理商/技术参数
NTLJD4150P 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET -30 V, -3.4 A, uCool TM Dual P-Channel,2x2 mm WDFN Package
NTLJD4150P_07 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET -30 V, -3.4 A, uCool TM Dual P-Channel,2x2 mm WDFN Package
NTLJD4150PTBG 功能描述:MOSFET P-CH DUAL 30V 3.2A 6WDFN RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 阵列 系列:- 产品目录绘图:8-SOIC Mosfet Package 标准包装:1 系列:- FET 型:2 个 N 沟道（双） FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):60V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:3A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:75 毫欧 @ 4.6A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:3V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:20nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:- 功率 - 最大:1.4W 安装类型:表面贴装 封装/外壳:PowerPAK? SO-8 供应商设备封装:PowerPAK? SO-8 包装:Digi-Reel® 产品目录页面:1664 (CN2011-ZH PDF) 其它名称:SI7948DP-T1-GE3DKR
NTLJF117P 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:High Efficiency DC-DC Converters
NTLJF156N 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:High Efficiency DC-DC Converters
NTLJF3117P 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Typical Uses for FETKY Devices
NTLJF3117P_1 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Typical Uses for FETKY Devices
NTLJF3117PT1G 功能描述:MOSFET PFET 2X2 20V 4.1A 106MOHM RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube